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时间:2018-09-26编辑: admin 点击率:

  日本研讨低阻值的n-AlGaN 可提高15%电光变换功率

  日本名城大学和名古屋大学的研讨人员现已出产了低阻值的n型氮化铝稼(n-AlGaN)。经过将n-AlGaN作为紫外LED的一部分,研讨人员成功将电光变换功率(wall-plug efficiency )提高了15%左右。

  这种低阻值的n-AlGaN选用MOVPE在蓝宝石上制造,外延成长先选用低温缓冲层,然后是3μm的随机掺杂GaN层。甲硅烷作为氮化铝稼低阻值层的硅掺杂源。

  该390nm的紫光LED选用了相似的2μm n-AlGaN样本作为基底进行出产图1)。有源发光多量子阱(MQW)包含了三对2.7nm的GaInN阱和12nm的 AlGaN妨碍层。LED p层为20nm的AlGaN电子阻挡层(electron-blocking、100nm的AlGaN电镀层(cladding )和10nm的GaN触点层。

  

日本研讨低阻值的n-AlGaN 可提高15%电光变换功率

  

图 1: 紫光LED原理架构

  该LED工艺包含在空气中进行10分钟的800℃退火以激活p型层,电感耦合等离子台面蚀刻以及n型电极金属堆积、p型氮化镓电触上镍金半透明电极堆积以及p型垫片电极堆积。该器材尺度为350μm x 350μm。

  研讨人员发现,在AlGaN增加小量铝可完成更高水平的硅掺杂,然后完成无损晶体架构。纯GaN的硅掺杂被限于1x1019/cm3左右,否则资料表面会变得粗糙。经过比照,AlGaN层是滑润的。无可见龟裂,即便在4x1020/cm3进行掺杂。

  n-AlGaN的运用可完成5.9x10-4/Ω-cm的阻值。德国研讨人员可完成的低阻值n-GaN为6.3x10-4Ω-cm。ag88环亚娱乐手机登录,日本的n-AlGaN更低。

  研讨人员也比照了选用了两种不同硅掺杂的n-AlGaN触点层LED,载流子浓度分别为1x1019/cm3和1.6x1020/cm3。较高硅掺杂这一削减的阻值在既定电流下,可下降前向电压,这意味着可完成光效更高。在100mA驱动电流下,日本信越化学开宣布高亮度LED封装用低透气性封装。削减的前向电压为1V左右。

  既定驱动电流下的光输出也显着提高,在较高电流下还可提高5%。紫光LED电光变换功率提高起伏大约为15% 。
 

  

   n-AlGaN 蓝宝石紫光LED

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