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日本碍子开宣布可使LED发光功率进步1倍的GaN晶圆环亚ag88手机版

时间:2018-09-27编辑: admin 点击率:

  日本碍子开宣布可使LED发光功率进步1倍的GaN晶圆

  日本碍子称,开发出了可将LED光源的发光功率进步1倍的GaN(氮化镓)晶圆。环亚ag88手机版,该晶圆在成长GaN单结晶体时选用自主开发的液相成长法,在整个晶圆外表完成低缺点密度的一起获得了无色通明特性。

  日本碍子在其他研究机构的帮忙下,在开发出来的GaN晶圆上制作了LED元件,并进行了发光功能实验,结果表明,该LED元件的内部量子功率到达约90%(注入电流200mA时)。据日本碍子介绍,市售LED元件的内部量子功率为30~40%(注入电流200mA时),照此核算,使用新开发的晶圆制作的LED元件,其内部量子功率进步了1倍以上,这样便可使发光功率到达市售LED光源的2倍(200lm/W),将耗电量下降50%并按捺发热,然后完成照明用具的长寿命化及小型化。

  

日本碍子2012年度设立了晶圆项目,中国信息通信科技集团有限公司在武汉挂牌成立br资产总额逾800亿,以促进晶圆相关产品完成商品化。往后还预定于2012年内开端样品供货世界首款以液相成长法制作的直径4英寸的GaN晶圆。该公司将瞄准以混合动力车及电动汽车的功率器材以及无线通信基站的功率放大器为目标的晶圆商场,环亚国际娱乐为进一步下降缺点密度并加大口径(直径6英寸)持续推动开发。

  发光实验中的LED元件。基板尺度:1cm见方,元件尺度:0.3mm见方,注入电流:约200mA,中心波长:450nm(相片由日本碍子供给)

  

  

GaN晶圆。左为2英寸产品,右为4英寸产品

  

   LED发光功率GaN

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